HS8K11TB
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HS8K1TB

Codice DigiKey
HS8K1TBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
HS8K1TBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
HS8K1TBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
HS8K1TB
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HSML3030L10
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
10A (Ta), 11A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
14,6mohm a 10A, 10V, 11,8mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6nC a 10V, 7,4nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
348pF a 15V, 429pF a 15V
Potenza - Max
2W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-UDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore
HSML3030L10
Codice componente base
HS8K1
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In magazzino: 9’286
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 0.71000Fr. 0.71
10Fr. 0.55700Fr. 5.57
100Fr. 0.38600Fr. 38.60
500Fr. 0.32808Fr. 164.04
1’000Fr. 0.29802Fr. 298.02
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.23746Fr. 712.38
6’000Fr. 0.23501Fr. 1’410.06
9’000Fr. 0.22848Fr. 2’056.32
15’000Fr. 0.22400Fr. 3’360.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.71000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.76751