
HS8K1TB | |
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Codice DigiKey | HS8K1TBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) HS8K1TBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) HS8K1TBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | HS8K1TB |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HSML3030L10 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 10A (Ta), 11A (Ta) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 14,6mohm a 10A, 10V, 11,8mohm a 11A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 6nC a 10V, 7,4nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 348pF a 15V, 429pF a 15V | |
Potenza - Max | 2W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-UDFN piazzola esposta | |
Contenitore del fornitore | HSML3030L10 | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.00000 | Fr. 1.00 |
| 10 | Fr. 0.62700 | Fr. 6.27 |
| 100 | Fr. 0.41410 | Fr. 41.41 |
| 500 | Fr. 0.32234 | Fr. 161.17 |
| 1’000 | Fr. 0.29280 | Fr. 292.80 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.25529 | Fr. 765.87 |
| 6’000 | Fr. 0.23641 | Fr. 1’418.46 |
| 9’000 | Fr. 0.22679 | Fr. 2’041.11 |
| 15’000 | Fr. 0.22008 | Fr. 3’301.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.00000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.08100 |











