
HT8KC5TB1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 846-HT8KC5TB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-HT8KC5TB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-HT8KC5TB1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | HT8KC5TB1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8HSMT |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 3,5A (Ta), 10A (Tc) 2W (Ta), 13W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 3,5A (Ta), 10A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 90mohm a 3,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 3,1nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 135pF a 30V | |
Potenza - Max | 2W (Ta), 13W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-PowerVDFN | |
Contenitore del fornitore | 8-HSMT (3,2x3) |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.23000 | Fr. 1.23 |
| 10 | Fr. 0.77700 | Fr. 7.77 |
| 100 | Fr. 0.51850 | Fr. 51.85 |
| 500 | Fr. 0.40732 | Fr. 203.66 |
| 1’000 | Fr. 0.37153 | Fr. 371.53 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.32610 | Fr. 978.30 |
| 6’000 | Fr. 0.30323 | Fr. 1’819.38 |
| 9’000 | Fr. 0.29377 | Fr. 2’643.93 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.23000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.32963 |


