Name: IMB11AT110
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: IMB11AT110TR-ND
Price: 0.36754 CHF
Availability: InStock

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IMB11AT110
Codice DigiKey	IMB11AT110TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IMB11AT110CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IMB11AT110DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	IMB11AT110
Descrizione	TRANS PREBIAS 2PNP 50V SMT6
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 2 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250MHz 300mW A montaggio superficiale SMT6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMB11AT110 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	2 PNP - pre-polarizzati (doppi)
Corrente - Collettore (Ic) max	100mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	50V
Resistore - Base (R1)	10kohm
Resistore - Base emettitore (R2)	10kohm
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	30 a 5mA, 5V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	300mV a 500µA, 10mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	500nA
Frequenza - Transizione	250MHz
Potenza - Max	300mW
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SC-74, SOT-457
Contenitore del fornitore	SMT6
Codice componente base	IMB11

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Nastrato in bobina (TR)