Name: QH8M22TCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QH8M22TCRTR-ND
Price: 1.63231 CHF
Availability: InStock

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QH8M22TCR
Codice DigiKey	QH8M22TCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) QH8M22TCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) QH8M22TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	QH8M22TCR
Descrizione	MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 4,5A (Ta), 2A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 10µA, 3V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2,6nC a 10V, 9,5nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 193pF a 20V, 450pF a 20V
Stato componente Non per nuovi progetti	Potenza - Max 1,1W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40V	Contenitore/involucro 8-SMD, conduttori piatti
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5A (Ta), 2A (Ta)	Contenitore del fornitore TSMT8
RDSon (max) a Id, Vgs 46mohm a 4,5A, 10V, 190mohm a 2A, 10V	Codice componente base QH8M22

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.51000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.63231

QH8M22TCR