Name: QH8MA2TCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QH8MA2TCRTR-ND
Price: 0.81075 CHF
Availability: InStock

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QH8MA2TCR
Codice DigiKey	QH8MA2TCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) QH8MA2TCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) QH8MA2TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	QH8MA2TCR
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 4,5 A, 3 A 1,25W A montaggio superficiale TSMT8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	QH8MA2TCR Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,5 A, 3 A
RDSon (max) a Id, Vgs	35mohm a 4,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8,4nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	365pF a 10V
Potenza - Max	1,25W
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore	TSMT8
Codice componente base	QH8MA2

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Nastrato in bobina (TR)