Equivalente parametrico

QS5U13TR | |
|---|---|
Codice DigiKey | QS5U13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) QS5U13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) QS5U13DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | QS5U13TR |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 2 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale TSMT5 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | QS5U13TR Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 3.9 nC @ 4.5 V |
Produttore | Vgs (max) ±12V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 175 pF @ 10 V |
Stato componente Attivo | Funzione FET Diodo Schottky (isolato) |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 1,25W (Ta) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TSMT5 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 2A, 4,5V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 1,5V a 1mA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| QS5U12TR | Rohm Semiconductor | 0 | QS5U12CT-ND | Fr. 0.20169 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.18595 | Fr. 557.85 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.18595 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.20101 |


