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Equivalente parametrico


Rohm Semiconductor
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.20169
Scheda tecnica
Canale N 30 V 2 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale TSMT5
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QS5U13TR

Codice DigiKey
QS5U13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
QS5U13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
QS5U13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
QS5U13TR
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 2 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale TSMT5
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
QS5U13TR Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Produttore
Vgs (max)
±12V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
175 pF @ 10 V
Stato componente
Attivo
Funzione FET
Diodo Schottky (isolato)
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
1,25W (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TSMT5
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,5V, 4,5V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
100mohm a 2A, 4,5V
Codice componente base
Vgs(th) max a Id
1,5V a 1mA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
QS5U12TRRohm Semiconductor0QS5U12CT-NDFr. 0.20169Equivalente parametrico
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.18595Fr. 557.85
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.18595
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.20101