Name: QS5U17TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS5U17TR-ND
Price: 0.72427 CHF
Availability: InStock

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QS5U17TR
Codice DigiKey	QS5U17TR-ND - Nastrato in bobina (TR) QS5U17CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) QS5U17DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	QS5U17TR
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 2 A (Ta) 900mW (Ta) A montaggio superficiale TSMT5
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	QS5U17TR Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	100mohm a 2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	175 pF @ 10 V
Funzione FET	Diodo Schottky (isolato)
Dissipazione di potenza (max)	900mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TSMT5
Contenitore/involucro	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Codice componente base	QS5U17

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Nastrato in bobina (TR)