Name: QS6J11TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS6J11TR-ND
Price: 0.85399 CHF
Availability: InStock

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QS6J11TR
Codice DigiKey	QS6J11TR-ND - Nastrato in bobina (TR) QS6J11CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) QS6J11DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	QS6J11TR
Descrizione	MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 12V 2A 600mW A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	QS6J11TR Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali P (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	12V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2A
RDSon (max) a Id, Vgs	105mohm a 2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6,5nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	770pF a 6V
Potenza - Max	600mW
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore del fornitore	Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Codice componente base	QS6J11

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Nastrato in bobina (TR)