
QS6J11TR | |
|---|---|
Codice DigiKey | QS6J11TR-ND - Nastrato in bobina (TR) QS6J11CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) QS6J11DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | QS6J11TR |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 12V 2A 600mW A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | QS6J11TR Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 1V a 1mA |
Produttore Rohm Semiconductor | Carica del gate (Qg) max a Vgs 6,5nC a 4,5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 770pF a 6V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 600mW |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Tensione drain/source (Vdss) 12V | Contenitore del fornitore Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 105mohm a 2A, 4,5V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.83000 | Fr. 0.83 |
| 10 | Fr. 0.51600 | Fr. 5.16 |
| 100 | Fr. 0.33710 | Fr. 33.71 |
| 500 | Fr. 0.25968 | Fr. 129.84 |
| 1’000 | Fr. 0.23477 | Fr. 234.77 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.20309 | Fr. 609.27 |
| 6’000 | Fr. 0.18714 | Fr. 1’122.84 |
| 9’000 | Fr. 0.17901 | Fr. 1’611.09 |
| 15’000 | Fr. 0.16988 | Fr. 2’548.20 |
| 21’000 | Fr. 0.16447 | Fr. 3’453.87 |
| 30’000 | Fr. 0.15922 | Fr. 4’776.60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.83000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.89723 |



