Name: QS6U24TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS6U24TR-ND
Price: 0.87561 CHF
Availability: InStock

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QS6U24TR
Codice DigiKey	QS6U24TR-ND - Nastrato in bobina (TR) QS6U24CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) QS6U24DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	QS6U24TR
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 1 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	QS6U24TR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.7 nC @ 5 V
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 90 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Funzione FET Diodo Schottky (isolato)
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 1,25W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1 A (Ta)	Contenitore del fornitore Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 400mohm a 1A, 10V	Codice componente base QS6U24
Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA

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In magazzino: 11’221

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.18595	Fr. 557.85

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.81000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.87561

QS6U24TR