


QS8J12TCR | |
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Codice DigiKey | QS8J12TCR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | QS8J12TCR |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 12V 4,5A 550mW A montaggio superficiale TSMT8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Gate livello logico, comando 1,5V | |
Tensione drain/source (Vdss) | 12V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4,5A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 29mohm a 4,5A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 40nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4200pF a 6V | |
Potenza - Max | 550mW | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SMD, conduttori piatti | |
Contenitore del fornitore | TSMT8 | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.27737 | Fr. 832.11 |
6’000 | Fr. 0.25714 | Fr. 1’542.84 |
9’000 | Fr. 0.24683 | Fr. 2’221.47 |
15’000 | Fr. 0.24200 | Fr. 3’630.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.27737 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.29984 |