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846~TSMT8~~8 Top
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846~TSMT8~~8 Top
846~TSMT8~~8

QS8J12TCR

Codice DigiKey
QS8J12TCR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
QS8J12TCR
Descrizione
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 12V 4,5A 550mW A montaggio superficiale TSMT8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Funzione FET
Gate livello logico, comando 1,5V
Tensione drain/source (Vdss)
12V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4,5A
RDSon (max) a Id, Vgs
29mohm a 4,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
40nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4200pF a 6V
Potenza - Max
550mW
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore
TSMT8
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.27737Fr. 832.11
6’000Fr. 0.25714Fr. 1’542.84
9’000Fr. 0.24683Fr. 2’221.47
15’000Fr. 0.24200Fr. 3’630.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.27737
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.29984