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QS8J12TCR | |
|---|---|
Codice DigiKey | QS8J12TCR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | QS8J12TCR |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 12V 4,5A 550mW A montaggio superficiale TSMT8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 1V a 1mA |
Produttore Rohm Semiconductor | Carica del gate (Qg) max a Vgs 40nC a 4,5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4200pF a 6V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Potenza - Max 550mW |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Gate livello logico, comando 1,5V | Contenitore/involucro 8-SMD, conduttori piatti |
Tensione drain/source (Vdss) 12V | Contenitore del fornitore TSMT8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 29mohm a 4,5A, 4,5V |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| QS8J13TR | Rohm Semiconductor | 1’518 | QS8J13CT-ND | Fr. 1.04000 | Simile |
| ECH8654-TL-H | onsemi | 154 | 869-1159-1-ND | Fr. 0.97000 | Simile |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.29032 | Fr. 870.96 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.29032 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.31384 |
