Name: QS8J13TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8J13TR-ND
Price: 1.12424 CHF
Availability: InStock

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QS8J13TR
Codice DigiKey	QS8J13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) QS8J13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) QS8J13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	QS8J13TR
Descrizione	MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 12V 5,5A 1,25W A montaggio superficiale TSMT8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 60nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6300pF a 6V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,25W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali P (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SMD, conduttori piatti
Tensione drain/source (Vdss) 12V	Contenitore del fornitore TSMT8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,5A	Codice componente base QS8J13
RDSon (max) a Id, Vgs 22mohm a 5,5A, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.04000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.12424

QS8J13TR