MOSFET - Array 30V 4A 550mW A montaggio superficiale TSMT8
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MOSFET - Array 30V 4A 550mW A montaggio superficiale TSMT8
846~TSMT8~~8

QS8J4TR

Codice DigiKey
QS8J4TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
QS8J4CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
QS8J4DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
QS8J4TR
Descrizione
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 4A 550mW A montaggio superficiale TSMT8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
QS8J4TR Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4A
RDSon (max) a Id, Vgs
56mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
13nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
800pF a 10V
Potenza - Max
550mW
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore
TSMT8
Codice componente base
QS8J4
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In magazzino: 3’172
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.29000Fr. 1.29
10Fr. 0.81600Fr. 8.16
100Fr. 0.54550Fr. 54.55
500Fr. 0.42940Fr. 214.70
1’000Fr. 0.39204Fr. 392.04
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.34461Fr. 1’033.83
6’000Fr. 0.32074Fr. 1’924.44
9’000Fr. 0.31342Fr. 2’820.78
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.29000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.39449