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QS8M13TCR | |
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Codice DigiKey | QS8M13TCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) QS8M13TCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) QS8M13TCRDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | QS8M13TCR |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 6A, 5A 1,5W A montaggio superficiale TSMT8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | QS8M13TCR Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA |
Produttore Rohm Semiconductor | Carica del gate (Qg) max a Vgs 5,5nC a 5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 390pF a 10V |
Stato componente Obsoleto | Potenza - Max 1,5W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Configurazione Canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SMD, conduttori piatti |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore TSMT8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6A, 5A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 28mohm a 6A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| QH8MA3TCR | Rohm Semiconductor | 1’877 | QH8MA3TCRCT-ND | Fr. 0.97000 | Simile |
| ECH8661-TL-H | onsemi | 15’402 | ECH8661-TL-HOSCT-ND | Fr. 1.11000 | Simile |



