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QS8M13TCR è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
QS8M13TCR | |
|---|---|
Codice DigiKey | QS8M13TCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) QS8M13TCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) QS8M13TCRDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | QS8M13TCR |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 6A, 5A 1,5W A montaggio superficiale TSMT8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | QS8M13TCR Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 6A, 5A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 28mohm a 6A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 5,5nC a 5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 390pF a 10V | |
Potenza - Max | 1,5W | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SMD, conduttori piatti | |
Contenitore del fornitore | TSMT8 | |
Codice componente base |
Obsoleto
Svizzera