


QS8M31TR | |
|---|---|
Codice DigiKey | QS8M31TR-ND - Nastrato in bobina (TR) QS8M31CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) QS8M31DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | QS8M31TR |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 3A (Ta), 2A (Ta) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 112mohm a 3A, 10V, 210mohm a 2A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA, 3V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 4nC a 5V, 7,2nC a 5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 270pF a 10V, 750pF a 10V | |
Potenza - Max | 1,1W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SMD, conduttori piatti | |
Contenitore del fornitore | TSMT8 | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.87000 | Fr. 0.87 |
| 10 | Fr. 0.59800 | Fr. 5.98 |
| 100 | Fr. 0.40230 | Fr. 40.23 |
| 500 | Fr. 0.31384 | Fr. 156.92 |
| 1’000 | Fr. 0.28486 | Fr. 284.86 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.24806 | Fr. 744.18 |
| 6’000 | Fr. 0.22953 | Fr. 1’377.18 |
| 9’000 | Fr. 0.22422 | Fr. 2’017.98 |
| 15’000 | Fr. 0.22091 | Fr. 3’313.65 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.87000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.94047 |


