MOSFET - Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT8
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MOSFET - Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT8
846~TSMT8~~8

QS8M31TR

Codice DigiKey
QS8M31TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
QS8M31CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
QS8M31DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
QS8M31TR
Descrizione
MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale TSMT8
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3A (Ta), 2A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
112mohm a 3A, 10V, 210mohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA, 3V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4nC a 5V, 7,2nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
270pF a 10V, 750pF a 10V
Potenza - Max
1,1W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore
TSMT8
Codice componente base
QS8M31
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In magazzino: 3’280
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 0.96000Fr. 0.96
10Fr. 0.60200Fr. 6.02
100Fr. 0.39680Fr. 39.68
500Fr. 0.30834Fr. 154.17
1’000Fr. 0.27988Fr. 279.88
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.24372Fr. 731.16
6’000Fr. 0.22551Fr. 1’353.06
9’000Fr. 0.21623Fr. 1’946.07
15’000Fr. 0.20829Fr. 3’124.35
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.96000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.03776
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