


QS8M51TR | |
|---|---|
Codice DigiKey | QS8M51TR-ND - Nastrato in bobina (TR) QS8M51CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) QS8M51DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | QS8M51TR |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 2A, 1,5A 1,5W A montaggio superficiale TSMT8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | QS8M51TR Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA |
Produttore Rohm Semiconductor | Carica del gate (Qg) max a Vgs 4,7nC a 5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 290pF a 25V, 950pF a 25V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 1,5W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Configurazione Canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SMD, conduttori piatti |
Tensione drain/source (Vdss) 100V | Contenitore del fornitore TSMT8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2A, 1,5A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 325mohm a 2A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.65000 | Fr. 1.65 |
| 10 | Fr. 1.05200 | Fr. 10.52 |
| 100 | Fr. 0.71030 | Fr. 71.03 |
| 500 | Fr. 0.56384 | Fr. 281.92 |
| 1’000 | Fr. 0.51673 | Fr. 516.73 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.45694 | Fr. 1’370.82 |
| 6’000 | Fr. 0.42685 | Fr. 2’561.10 |
| 9’000 | Fr. 0.41153 | Fr. 3’703.77 |
| 15’000 | Fr. 0.40313 | Fr. 6’046.95 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.65000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.78365 |











