Canale N 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
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Canale N 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
TO-252
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx

R6007END3TL1

Codice DigiKey
846-R6007END3TL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-R6007END3TL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
846-R6007END3TL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
R6007END3TL1
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
620mohm a 2,4A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
390 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
78W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
R6007
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.42000Fr. 2.42
10Fr. 1.56900Fr. 15.69
100Fr. 1.08590Fr. 108.59
500Fr. 0.87938Fr. 439.69
1’000Fr. 0.81301Fr. 813.01
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.74474Fr. 1’861.85
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.42000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.61602