



R6009ENX | |
|---|---|
Codice DigiKey | R6009ENX-ND |
Produttore | |
Codice produttore | R6009ENX |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 9 A (Tc) 40W (Tc) Foro passante TO-220FM |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | R6009ENX Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 10 V |
Confezionamento Sfuso | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 430 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-220FM |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 535mohm a 2,8A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCPF600N60Z | onsemi | 624 | FCPF600N60Z-ND | Fr. 2.52000 | Simile |
| SPA11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | 1’613 | 448-SPA11N80C3XKSA1-ND | Fr. 2.71000 | Simile |
| STF11N60DM2 | STMicroelectronics | 1’322 | 497-16960-ND | Fr. 1.83000 | Simile |
| STP11NM60FDFP | STMicroelectronics | 120 | 497-5392-5-ND | Fr. 5.32000 | Simile |
| TK8A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 34 | TK8A60WS4VX-ND | Fr. 2.81000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.52000 | Fr. 3.52 |
| 10 | Fr. 2.32400 | Fr. 23.24 |
| 100 | Fr. 1.64560 | Fr. 164.56 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.52000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.80512 |

