Canale N 600 V 9 A (Tc) 40W (Tc) Foro passante TO-220FM
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Canale N 600 V 9 A (Tc) 40W (Tc) Foro passante TO-220FM
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6009ENX

Codice DigiKey
R6009ENX-ND
Produttore
Codice produttore
R6009ENX
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 9 A (Tc) 40W (Tc) Foro passante TO-220FM
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R6009ENX Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
23 nC @ 10 V
Confezionamento
Sfuso
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
430 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
40W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-220FM
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
535mohm a 2,8A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (5)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
FCPF600N60Zonsemi624FCPF600N60Z-NDFr. 2.52000Simile
SPA11N80C3XKSA1Infineon Technologies1’613448-SPA11N80C3XKSA1-NDFr. 2.71000Simile
STF11N60DM2STMicroelectronics1’322497-16960-NDFr. 1.83000Simile
STP11NM60FDFPSTMicroelectronics120497-5392-5-NDFr. 5.32000Simile
TK8A60W,S4VXToshiba Semiconductor and Storage34TK8A60WS4VX-NDFr. 2.81000Simile
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