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R6011ENJTL | |
|---|---|
Codice DigiKey | R6011ENJTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) R6011ENJTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) R6011ENJTLDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | R6011ENJTL |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 11A LPTS |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 11 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale LPTS |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | R6011ENJTL Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 32 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 670 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore LPTS |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 390mohm a 3,8A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA12N65X2 | IXYS | 203 | IXFA12N65X2-ND | Fr. 4.41000 | Simile |
| IXFA22N60P3 | IXYS | 0 | IXFA22N60P3-ND | Fr. 2.71507 | Simile |
| SIHB12N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB12N60ET5-GE3-ND | Fr. 0.74363 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.94000 | Fr. 3.94 |
| 10 | Fr. 2.60700 | Fr. 26.07 |
| 100 | Fr. 1.85110 | Fr. 185.11 |
| 500 | Fr. 1.61736 | Fr. 808.68 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.42505 | Fr. 1’425.05 |
| 2’000 | Fr. 1.33804 | Fr. 2’676.08 |
| 3’000 | Fr. 1.32138 | Fr. 3’964.14 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.94000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.25914 |



