Name: R6012JNJGTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6012JNJGTLTR-ND
Price: 3.97808 CHF
Availability: InStock

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R6012JNJGTL
Codice DigiKey	R6012JNJGTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) R6012JNJGTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) R6012JNJGTLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	R6012JNJGTL
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 12 A (Tc) 160W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 7V a 2,5mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 28 nC @ 15 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±30V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 900 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Tc)	Contenitore del fornitore LPTS
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 390 mohm a 6A, 15V	Codice componente base R6012

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.68000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.97808

R6012JNJGTL