Name: R6013VND3TL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6013VND3TL1TR-ND
Price: 2.21605 CHF
Availability: InStock

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R6013VND3TL1
Codice DigiKey	846-R6013VND3TL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-R6013VND3TL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-R6013VND3TL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	R6013VND3TL1
Descrizione	600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 13 A (Tc) 131W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 6,5V a 500µA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 21 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±30V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 900 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 131W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V, 15V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 300mohm a 3A, 15V	Codice componente base R6013VN

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 1.15767	Fr. 2’894.17

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.05000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.21605

R6013VND3TL1