Canale N 600 V 15 A (Tc) 184W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
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Canale N 600 V 15 A (Tc) 184W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6015KNJTL

Codice DigiKey
R6015KNJTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
R6015KNJTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
R6015KNJTLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
R6015KNJTL
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 15 A (Tc) 184W (Tc) A montaggio superficiale LPTS
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
R6015KNJTL Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
15 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
290mohm a 6,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1050 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
184W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
LPTS
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
R6015
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.81000Fr. 2.81
10Fr. 1.83800Fr. 18.38
100Fr. 1.28370Fr. 128.37
500Fr. 1.04680Fr. 523.40
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 0.97068Fr. 970.68
2’000Fr. 0.91569Fr. 1’831.38
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.81000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 3.03761