Canale N 600 V 30 A (Tc) 86W (Tc) Foro passante TO-220FM
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Canale N 600 V 30 A (Tc) 86W (Tc) Foro passante TO-220FM
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6030KNX

Codice DigiKey
R6030KNX-ND
Produttore
Codice produttore
R6030KNX
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 30 A (Tc) 86W (Tc) Foro passante TO-220FM
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
R6030KNX Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
56 nC @ 10 V
Confezionamento
Sfuso
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2350 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
86W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-220FM
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
130mohm a 14,5A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (5)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IPA60R125C6XKSA1Infineon Technologies347448-IPA60R125C6XKSA1-NDFr. 4.87000Simile
IPA60R125P6XKSA1Infineon Technologies0IPA60R125P6XKSA1-NDFr. 3.86000Simile
IXFP34N65X2MIXYS299IXFP34N65X2M-NDFr. 8.74000Simile
TK25A60X5,S5XToshiba Semiconductor and Storage1TK25A60X5S5X-NDFr. 4.66000Simile
TK28A65W,S5XToshiba Semiconductor and Storage50TK28A65WS5X-NDFr. 5.30000Simile
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