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R6030KNZ1C9 | |
|---|---|
Codice DigiKey | R6030KNZ1C9-ND |
Produttore | |
Codice produttore | R6030KNZ1C9 |
Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 30 A (Tc) 305W (Tc) Foro passante TO-247 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | R6030KNZ1C9 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 56 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2350 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 305W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-247 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 130mohm a 14,5A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| R6030KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 538 | 846-R6030KNZ4C13-ND | Fr. 6.92000 | Diretto |
| R6030KNZC17 | Rohm Semiconductor | 298 | 846-R6030KNZC17-ND | Fr. 7.17000 | Simile |
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | 750 | 448-IPW60R099CPFKSA1-ND | Fr. 6.73000 | Simile |
| IPW60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | 210 | IPW60R120C7XKSA1-ND | Fr. 4.56000 | Simile |
| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPW60R120P7XKSA1-ND | Fr. 1.57829 | Simile |









