TO-220-3
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

R8009KNXC7G

Codice DigiKey
846-R8009KNXC7GTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
846-R8009KNXC7GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
R8009KNXC7G
Descrizione
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Tempi di consegna standard del produttore
25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 9 A (Ta) 59W (Tc) Foro passante TO-220FM
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
600mohm a 4,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
900 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
59W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220FM
Contenitore/involucro
TO-220-3 Full Pack
Codice componente base
R8009
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

In magazzino: 874
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 3.45000Fr. 3.45
10Fr. 2.67700Fr. 26.77
100Fr. 1.92640Fr. 192.64
500Fr. 1.83232Fr. 916.16
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 1.49700Fr. 1’497.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 3.45000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 3.72945