Name: R8009KNXC7G
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R8009KNXC7GTR-ND
Price: 4.58344 CHF
Availability: InStock

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R8009KNXC7G
Codice DigiKey	846-R8009KNXC7GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-R8009KNXC7GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	R8009KNXC7G
Descrizione	HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 9 A (Ta) 59W (Tc) Foro passante TO-220FM
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 5mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 27 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 900 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 59W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Tipo di montaggio Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9 A (Ta)	Contenitore del fornitore TO-220FM
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-220-3 Full Pack
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 4,5A, 10V	Codice componente base R8009