Name: RCD060N25TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RCD060N25TL-ND
Price: 0.52262 CHF
Availability: OutOfStock

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RCD060N25TL
Codice DigiKey	RCD060N25TL-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RCD060N25TL
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 6A CPT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 6 A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) A montaggio superficiale CPT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±30V
Stato componente Data di acquisto finale	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 840 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 250 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Tc)	Contenitore del fornitore CPT3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 530mohm a 3A, 10V	Codice componente base RCD060

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RD3U060CNTL1	Rohm Semiconductor	2’193	RD3U060CNTL1CT-ND	Fr. 1.75000	Consigliato dal produttore
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