Name: RD3L08BBJHRBTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3L08BBJHRBTLTR-ND
Price: 3.1349 CHF
Availability: InStock

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RD3L08BBJHRBTL
Codice DigiKey	846-RD3L08BBJHRBTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RD3L08BBJHRBTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RD3L08BBJHRBTLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RD3L08BBJHRBTL
Descrizione	PCH -60V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 80 A (Tc) 142W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 145 nC @ 10 V
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) +5V, -20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7550 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 142W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 80 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore TO-252
RDSon (max) a Id, Vgs 10,7mohm a 10A, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Vgs(th) max a Id 2,5V a 1,2mA