Name: RD3S100AAFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3S100AAFRATLTR-ND
Price: 3.28624 CHF
Availability: InStock

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RD3S100AAFRATL
Codice DigiKey	846-RD3S100AAFRATLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RD3S100AAFRATLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RD3S100AAFRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RD3S100AAFRATL
Descrizione	MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 190 V 10 A (Tc) 85W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 52 nC @ 10 V
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2000 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 85W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 190 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Contenitore del fornitore TO-252
RDSon (max) a Id, Vgs 182mohm a 5A, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA	Codice componente base RD3S100