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RND030N20TL

Codice DigiKey
846-RND030N20TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
RND030N20TL
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 200 V 3 A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) A montaggio superficiale CPT3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RND030N20TL Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
870mohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
5,2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
270 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
CPT3
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.03.2027
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.28428Fr. 710.70
5’000Fr. 0.26305Fr. 1’315.25
7’500Fr. 0.25223Fr. 1’891.73
12’500Fr. 0.24300Fr. 3’037.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.28428
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.30731