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In magazzino: 0
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Scheda tecnica
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RF4P025ATTCR
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RF4E070BNTR

Codice DigiKey
RF4E070BNTRTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RF4E070BNTRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RF4E070BNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RF4E070BNTR
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Tempi di consegna standard del produttore
21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 7 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HUML2020L8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RF4E070BNTR Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
28,6mohm a 7A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8.9 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
410 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
HUML2020L8
Contenitore/involucro
8-PowerUDFN
Codice componente base
RF4E070
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.22000Fr. 1.22
10Fr. 0.77400Fr. 7.74
100Fr. 0.51530Fr. 51.53
500Fr. 0.40438Fr. 202.19
1’000Fr. 0.36870Fr. 368.70
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.32338Fr. 970.14
6’000Fr. 0.30058Fr. 1’803.48
9’000Fr. 0.29000Fr. 2’610.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.22000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.31882