Name: RF4E110BNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E110BNTRTR-ND
Price: 0.91885 CHF
Availability: InStock

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RF4E110BNTR
Codice DigiKey	RF4E110BNTRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RF4E110BNTRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RF4E110BNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RF4E110BNTR
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 11 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HUML2020L8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RF4E110BNTR Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	11,1mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1200 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	HUML2020L8
Contenitore/involucro	8-PowerUDFN
Codice componente base	RF4E110

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Nastrato in bobina (TR)