Canale N 60 V 5,5 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HUML2020L8
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RF4L055GNTCR

Codice DigiKey
RF4L055GNTCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RF4L055GNTCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RF4L055GNTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RF4L055GNTCR
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 5,5 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HUML2020L8
Scheda tecnica
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Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
43mohm a 5,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,7V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
400 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
HUML2020L8
Contenitore/involucro
8-PowerUDFN
Codice componente base
RF4L055
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Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.11000Fr. 1.11
10Fr. 0.69700Fr. 6.97
100Fr. 0.46210Fr. 46.21
500Fr. 0.36134Fr. 180.67
1’000Fr. 0.32889Fr. 328.89
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.28769Fr. 863.07
6’000Fr. 0.26696Fr. 1’601.76
9’000Fr. 0.25639Fr. 2’307.51
15’000Fr. 0.25349Fr. 3’802.35
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.11000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.19991
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