Name: RF4L070BGTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF4L070BGTCRTR-ND
Price: 1.24315 CHF
Availability: InStock

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RF4L070BGTCR
Codice DigiKey	846-RF4L070BGTCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RF4L070BGTCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RF4L070BGTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RF4L070BGTCR
Descrizione	NCH 60V 7A, HUML2020L8, POWER MO
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 7 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale DFN2020-8S
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.6 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 460 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7 A (Ta)	Contenitore del fornitore DFN2020-8S
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerUDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 27mohm a 7A, 10V	Codice componente base RF4L070

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.15000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.24315

RF4L070BGTCR