Name: RF9G120BJFRATCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF9G120BJFRATCRTR-ND
Price: 1.4053 CHF
Availability: InStock

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RF9G120BJFRATCR
Codice DigiKey	846-RF9G120BJFRATCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RF9G120BJFRATCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RF9G120BJFRATCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RF9G120BJFRATCR
Descrizione	PCH -40V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 12 A (Tc) 23W (Tc) A montaggio superficiale DFN2020Y7LSAA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RF9G120BJFRATCR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15.5 nC @ 10 V
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) +5V, -20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 750 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 23W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore DFN2020Y7LSAA
RDSon (max) a Id, Vgs 48mohm a 3A, 10V	Contenitore/involucro 6-UDFN piazzola esposta
Vgs(th) max a Id 2,5V a 279µA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.30000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.40530

RF9G120BJFRATCR