Name: RJ1P10BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RJ1P10BATTL1TR-ND
Price: 5.32933 CHF
Availability: OutOfStock

Novità in DigiKey

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RJ1P10BATTL1
Codice DigiKey	846-RJ1P10BATTL1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RJ1P10BATTL1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RJ1P10BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RJ1P10BATTL1
Descrizione	PCH -100V -105A, TO-263AB, POWER
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 105 A (Tc) 201W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 385 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 16600 pF @ 50 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 201W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 105 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 11,9mohm a 50A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 1.89305	Fr. 1’514.44
1’600	Fr. 1.78586	Fr. 2’857.38

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.93000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 5.32933

RJ1P10BATTL1