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RND030N20TL | |
|---|---|
Codice DigiKey | 846-RND030N20TLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | RND030N20TL |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 3A CPT3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 200 V 3 A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) A montaggio superficiale CPT3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RND030N20TL Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Data di acquisto finale | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 870mohm a 1,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 5,2V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 6.7 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 270 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 850mW (Ta), 20W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | CPT3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.28428 | Fr. 710.70 |
| 5’000 | Fr. 0.26305 | Fr. 1’315.25 |
| 7’500 | Fr. 0.25223 | Fr. 1’891.73 |
| 12’500 | Fr. 0.24300 | Fr. 3’037.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.28428 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.30731 |



