Name: RQ1C075UNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ1C075UNTR-ND
Price: 0.95128 CHF
Availability: InStock

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RQ1C075UNTR
Codice DigiKey	RQ1C075UNTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ1C075UNCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ1C075UNDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ1C075UNTR
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 7,5 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale TSMT8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ1C075UNTR Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	16mohm a 7,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	18 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1400 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TSMT8
Contenitore/involucro	8-SMD, conduttori piatti
Codice componente base	RQ1C075

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Nastrato in bobina (TR)