Name: RQ3C150BCTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3C150BCTBTR-ND
Price: 1.55664 CHF
Availability: InStock

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RQ3C150BCTB
Codice DigiKey	RQ3C150BCTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ3C150BCTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ3C150BCTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ3C150BCTB
Descrizione	MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 30 A (Tc) 20W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ3C150BCTB Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,2V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4800 pF @ 10 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-HSMT (3,2x3)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 6,7mohm a 15A, 4,5V	Codice componente base RQ3C150

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.44000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.55664

RQ3C150BCTB