Name: RQ3E100GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E100GNTBTR-ND
Price: 0.60536 CHF
Availability: InStock

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RQ3E100GNTB
Codice DigiKey	RQ3E100GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ3E100GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ3E100GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ3E100GNTB
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 10 A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ3E100GNTB Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	11,7mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	7.9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	420 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-HSMT (3,2x3)
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	RQ3E100

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Nastrato in bobina (TR)