RQ3E120ATTB
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RQ3E120ATTB
8 HSMT

RQ3E120GNTB

Codice DigiKey
RQ3E120GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RQ3E120GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RQ3E120GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RQ3E120GNTB
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Tempi di consegna standard del produttore
21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 12 A (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RQ3E120GNTB Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8,8mohm a 12A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
590 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 16W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-HSMT (3,2x3)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
RQ3E120
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In magazzino: 10’338
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 0.42000Fr. 0.42
10Fr. 0.33800Fr. 3.38
100Fr. 0.23100Fr. 23.10
500Fr. 0.19146Fr. 95.73
1’000Fr. 0.17229Fr. 172.29
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.12403Fr. 372.09
6’000Fr. 0.12158Fr. 729.48
9’000Fr. 0.11587Fr. 1’042.83
15’000Fr. 0.11416Fr. 1’712.40
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.42000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.45402