Name: RQ3E180BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E180BNTBTR-ND
Price: 0.9729 CHF
Availability: InStock

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RQ3E180BNTB
Codice DigiKey	RQ3E180BNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ3E180BNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ3E180BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ3E180BNTB
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 39 A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ3E180BNTB Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 37 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3500 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 20W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 39 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-HSMT (3,2x3)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 3,9mohm a 18A, 10V	Codice componente base RQ3E180

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.21474	Fr. 644.22

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.90000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.97290

RQ3E180BNTB