


RQ3E180BNTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | RQ3E180BNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ3E180BNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ3E180BNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RQ3E180BNTB |
Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT |
Tempi di consegna standard del produttore | 21 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 39 A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RQ3E180BNTB Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,9mohm a 18A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 37 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3500 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 20W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-HSMT (3,2x3) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.86000 | Fr. 0.86 |
| 10 | Fr. 0.54100 | Fr. 5.41 |
| 100 | Fr. 0.35430 | Fr. 35.43 |
| 500 | Fr. 0.27398 | Fr. 136.99 |
| 1’000 | Fr. 0.24810 | Fr. 248.10 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.21520 | Fr. 645.60 |
| 6’000 | Fr. 0.19864 | Fr. 1’191.84 |
| 9’000 | Fr. 0.19020 | Fr. 1’711.80 |
| 15’000 | Fr. 0.18072 | Fr. 2’710.80 |
| 21’000 | Fr. 0.17900 | Fr. 3’759.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.86000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.92966 |











