Name: RQ3L070BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3L070BGTB1TR-ND
Price: 0.72427 CHF
Availability: InStock

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RQ3L070BGTB1
Codice DigiKey	846-RQ3L070BGTB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RQ3L070BGTB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RQ3L070BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ3L070BGTB1
Descrizione	NCH 60V 20A, HSMT8G, POWER MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 7 A (Ta), 20 A (Tc) 2W (Ta), 15W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSMT (3,2x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7 A (Ta), 20 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	24,7mohm a 7A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	7.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	460 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-HSMT (3,2x3)
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN

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Nastrato in bobina (TR)