Name: RQ5H020SPTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ5H020SPTLTR-ND
Price: 0.73508 CHF
Availability: InStock

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RQ5H020SPTL
Codice DigiKey	RQ5H020SPTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ5H020SPTLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ5H020SPTLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ5H020SPTL
Descrizione	MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 45 V 2 A (Ta) 540mW (Ta) A montaggio superficiale TSMT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ5H020SPTL Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	45 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	190mohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	9.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	500 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	540mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TSMT3
Contenitore/involucro	SC-96
Codice componente base	RQ5H020

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Nastrato in bobina (TR)