Name: RQ6C050UNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6C050UNTR-ND
Price: 0.70265 CHF
Availability: InStock

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RQ6C050UNTR
Codice DigiKey	RQ6C050UNTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ6C050UNCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ6C050UNDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ6C050UNTR
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 5 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ6C050UNTR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±10V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 900 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,25W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5 A (Ta)	Contenitore del fornitore Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 5A, 4,5V	Codice componente base RQ6C050

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In magazzino: 15’804

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.65000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.70265

RQ6C050UNTR