
RQ6E080AJTCR | |
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Codice DigiKey | RQ6E080AJTCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ6E080AJTCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ6E080AJTCRDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RQ6E080AJTCR |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 8 A (Ta) 950mW (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RQ6E080AJTCR Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 2,5V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 16,5mohm a 8A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,5V a 2mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 16.2 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1810 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 950mW (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.94000 | Fr. 0.94 |
| 10 | Fr. 0.58600 | Fr. 5.86 |
| 100 | Fr. 0.38510 | Fr. 38.51 |
| 500 | Fr. 0.29894 | Fr. 149.47 |
| 1’000 | Fr. 0.27120 | Fr. 271.20 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.23595 | Fr. 707.85 |
| 6’000 | Fr. 0.21820 | Fr. 1’309.20 |
| 9’000 | Fr. 0.20916 | Fr. 1’882.44 |
| 15’000 | Fr. 0.20043 | Fr. 3’006.45 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.94000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.01614 |











