Name: RQ6E085BNTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E085BNTCRTR-ND
Price: 1.28639 CHF
Availability: InStock

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RQ6E085BNTCR
Codice DigiKey	RQ6E085BNTCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ6E085BNTCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ6E085BNTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ6E085BNTCR
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 8,5 A (Tc) 1.25W (Tc) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ6E085BNTCR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 32.7 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1350 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,5 A (Tc)	Contenitore del fornitore Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 14,4mohm a 8,5A, 10V	Codice componente base RQ6E085

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In magazzino: 1’588

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.19000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.28639

RQ6E085BNTCR