Name: RQ6P020ATTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ6P020ATTCRTR-ND
Price: 0.91885 CHF
Availability: InStock

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RQ6P020ATTCR
Codice DigiKey	846-RQ6P020ATTCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RQ6P020ATTCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RQ6P020ATTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ6P020ATTCR
Descrizione	PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 2 A (Ta) 950mW (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	220mohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	760 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	950mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	RQ6P020

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Nastrato in bobina (TR)